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Galaxy S6 contará com memória interna 3x mais rápida que soluções concorrentes

Por Mobile Xpert

Por Rodrigo Almeida - A Samsung anunciou nesta quarta-feira (25), em seu blog SamsungTomorrow, que iniciou a produção em massa de sua nova memória flash ultra-rápida para smartphones e tablets. Segundo a empresa, o novo módulo interno é baseado no padrão UFS 2.0, que promete ser quase 3 vezes (mais precisamente 2.7 vezes) mais rápida que o eMMC 5.0, padrão atualmente utilizado na maioria de aparelhos mobile disponíveis no mercado.

Com isso, a fabricante sul-coreana garante que a nova memória flash é capaz de conduzir 19 mil operações de entrada e saída de dados em leitura aleatória a cada segundo – isso graças ao novo sistema chamado “UFS (Universal Flash Storage) Command Queue”.

As novas peças, segundo a Samsung, serão disponibilizadas em capacidade de armazenamento de 128 GB, 64 GB e 32 GB, aparentemente, custando o mesmo preço dos modelos atuais, apesar da tecnologia superior.

Com isso, a grande expectativa é que a novidade faça sua estreia no esperado Galaxy S6, novo smartphone top de linha da empresa que será apresentado oficialmente a todos no dia 01 de março, durante o MWC (Mobile World Congress) 2015, em Barcelona. Inclusive.

Novas fotos exibem o Galaxy S6 ao lado do Galaxy S6 Edge
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Por: Multimidia Info

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